Ibm si unisce a Hitachi per sviluppare i chip del futuro

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Le società hanno sottoscritto un accordo di ricerca biennale con l’obiettivo di studiare la miniaturizzazione dei tansistor e innovare la generazione a 32 nanometri

La miniaturizzazione dei transistor è un obiettivo perseguito con determinazione nello sviluppo dei dispositivi a 32 e 22 nanometri della prossima generazione. Il fatto che per la prima volta Ibm e Hitachi abbiano siglato un accordo di ricerca biennale per studiare le possibilità per raggiungere un’ulteriore riduzione delle dimensioni fisiche dei transistor la dice lunga sugli obiettivi di investimento e sulle future strategie aziendali.

La nuova collaborazione si concentrerà sulla ricerca dei semiconduttori a 32 nm e oltre e utilizzerà nuovi metodi che comprendono le tecnologie più avanzate per analizzare dispositivi e strutture di semiconduttori. L’obiettivo è migliorare la caratterizzazione e la misurazione della variazione dei transistor e favorire una migliore comprensione della fisica dei dispositivi. Gli ingegneri delle due società e della Hitachi High-Technologies, una controllata di Hitachi, condurranno ricerche congiunte presso il Thomas J. Watson Research Center di Ibm, con sede a Yorktown Heights, N.Y., e presso il complesso Albany NanoTech del College of Nanoscale Science and Engineering.

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